شركة &سامسونج إلكترونيكس& تبدأ بإنتاج كميات كبيرة من أولى ذاكرات الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) من طراز LPDDR5 وبسعة 12 غيغابايت المخصّصة للهواتف الذكيّة الأكثر تقدّماً
بدأت شركة &سامسونج إلكترونيكس& بإنتاج كميات كبيرة من أولى ذاكرات الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) من طراز LPDDR5 وبسعة 12 غيغابايت المخصّصة للهواتف الذكيّة الأكثر تقدّماً
إنّ طراز LPDDR5 الجديد بسعة 12 GB من سامسونج، والذي يرتكز على أحدث معايير ذاكرات DRAM للهواتف المحمولة، يضاعف قدرة ميّزات شبكة 5G والذكاء الاصطناعي إلى أقصى حدودها في الهواتف الرئيسة المستقبلية
(عمّان، 29 تموز 2019): أعلنت شركة &سامسونج إلكترونيكس&، الشركة الرائدة عالمياً في مجال تكنولوجيا الذاكرة المتقدّمة، أنّها بدأت بإنتاج كميات كبيرة من أولى ذاكرات الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM) للهواتف المتنقلة من طراز LPDDR5 وبسعة 12 GB، والتي تمّ تحسينها إلى أقصى الحدود لتفتح المجال للإستفادة من ميّزات شبكة 5G والذكاء الاصطناعي في الهواتف الذكيّة المستقبلية. وتأتي هذه الذاكرة الجديدة بعد خمسة أشهر فقط من الإعلان عن الإنتاج الكثيف لطراز LPDDR4X بسعة 12 Gb، الأمر الذي يعزّز تشكيلة الشركة في مجال الذاكرات من الدرجة الأولى. كما تخطّط شركة &سامسونج& أن تشرع بالإنتاج الكثيف لحزم LPDDR5 بسعة 12 Gb في وقت لاحق من هذا الشهر، على أن تجمع كلّ منها ثمانية من رقاقات الـ12 Gb، وذلك تماشياً مع تزايد طلب مصنّعي الهواتف الذكيّة الأكثر تقدّماً لأداء أفضل وقدرة أعلى.
وقد صرّح نائب المدير التنفيذي لقسم تكنولوجيا ومنتجات ذاكرات DRAM في شركة &سامسونج إلكترونيكس&، جونغ باي لي، قائلاً: &نحن متشوّقون جدّاً لأنّنا عبر الإنتاج الكثيف للذاكرات من طراز LPDDR5 بسعة 12 Gb القائمة على أحدث عمليات فئات الجيل الثاني ذات قدرة الـ10 نانومتر (nm) لسامسونج، سوف ندعم إطلاق هواتف ذكيّة رئيسة تشغّل شبكة 5G لزبائننا في كلّ العالم ضمن الجدول الزمني المحدّد سابقاً. وسوف تبقى شركة &سامسونج& على التزامها بأن تطلق بلا انقطاع تكنولوجيات الجيل القادم في مجال ذاكرة الهواتف المحمولة والتي من شأنها أن تقدّم أداءً أفضل وقدرة أعلى، فيما نتابع سعينا الدؤوب إلى تحقيق النموّ في سوق الذاكرات الإلكترونية ذات الجودة&.
وسوف تخوّل ذاكرة DRAM الجديدة من &سامسونج& الهواتف الذكيّة الرئيسة في الجيل القادم أن تتحمّل بشكل كامل قدرات ميّزات شبكة 5G والذكاء الاصطناعي مثل تسجيل الفيديوهات بدقّة فائقة الجودة وتطبيق التعلّم الآلي، مع إطالة حياة البطّارية بشكل ملحوظ في الوقت نفسه، وذلك بفضل سرعتها الرائدة في هذا المجال واستهلاكها الكفوء للطاقة.
وبسرعة بيانات تصل إلى 5500 ميغابايت بالثانية (Mb/s)، تُعتبر ذاكرة LPDDR5 بسعة 12 Gb أسرع بـ1.3 مرّة تقريباً من الطراز السابق لها (LPDDR4X، 4266 Mb/s) الموجود في أفضل الهواتف الذكيّة المتاحة اليوم في السوق. وعند دمج ذاكرة LPDDR5 في حزمة من 12 Gb، تتمكّن من نقل 44 Gb من البيانات، أو ما يعادل 12 فيلماً فائق الجودة (حجم كلّ منها 3.7 Gb) في ثانية واحدة فقط. كما تستخدم الرقاقة الجديدة طاقةً أقلّ بنسبة تصل إلى 30% من سابقتها وذلك عبر دمج تصميم جديد للدائرة الكهربائية يحسّن المزامنة والتعلّم كما ميزة الطاقة المنخفضة التي تضمن أداءً مستقرّاً حتّى إذا كان الجهاز يعمل بسرعة عالية الشدّة.
وتنظر شركة &سامسونج& حالياً في إمكانية نقل إنتاجها لذاكرات LPDDR5 بسعة 12 Gb إلى مقرّها في بيونغتايك في كوريا ابتداءً من العام القادم، وذلك بهدف إدارة قدرتها الإنتاجية بمرونة أكبر، استناداً إلى حجم الطلب من زبائنها في كلّ أنحاء العالم. وتخطّط الشركة بعد إطلاقها لذاكرة DRAM للهواتف المحمولة من طراز LPDDR5 بسعة 12 Gb أن تبدأ أيضاً بتطوير طراز LPDDR5 بسعة 16 Gb، تعزيزاً لقدرتها التنافسية في سوق الذاكرات الإلكترونية العالمي.
[مرجع] الجدول الزمني لذاكرات DRAM للهواتف المحمولة من &سامسونج&: الإنتاج / الإنتاج الكثيف
|
التاريخ |
السعة |
ذاكرة DRAM للهواتف المحمولة |
|
تمّوز/يوليو 2019 |
12 Gb |
فئة 10 nm 12 Gb LPDDR5، 5500 Mb/s |
|
حزيران/يونيو 2019 |
6 Gb |
فئة 10 nm 12 Gb LPDDR5، 5500 Mb/s |
|
شباط/فبراير 2019 |
12 Gb |
فئة 10 nm 16 Gb LPDDR4X، 4266 Mb/s |
|
نيسان/أبريل 2018 |
8 Gb (في التطوير) |
فئة 10 nm 8 Gb LPDDR5، 6400 Mb/s |
|
أيلول/سبتمبر 2016 |
8 Gb |
فئة 10 nm 16 Gb LPDDR4X، 4266 Mb/s |
|
آب أغسطس 2015 |
6 Gb |
20 nm 12 Gb LPDDR4، 4266 Mb/s |
|
كانون الأوّل/ديسمبر 2014 |
4 Gb |
20 nm 8 Gb LPDDR4، 3200 Mb/s |
|
أيلول/سبتمبر 2014 |
3 Gb |
20 nm 6 Gb LPDDR3، 2133 Mb/s |
|
تشرين الثاني/نوفمبر 2013 |
3 Gb |
فئة 20 nm 6 Gb LPDDR3، 2133 Mb/s |
|
تمّوز/يوليو 2013 |
3 Gb |
فئة 20 nm 4 Gb LPDDR3، 2133 Mb/s |
|
نيسان/أبريل 2013 |
2 Gb |
فئة 20 nm 4 Gb LPDDR3، 2133 Mb/s |
|
آب/أغسطس 2012 |
2 Gb |
فئة 30 nm 4 Gb LPDDR3، 1600 Mb/s |
|
2011 |
½ Gb |
فئة 30 nm 4 Gb LPDDR2، 1066 Mb/s |
|
2010 |
512 Mb |
فئة 40 nm 2 Gb MDDR، 400 Mb/s |
|
2009 |
256 Mb |
فئة 50 nm 1 Gb MDDR، 400 Mb/s |
حول شركة &سامسونج إلكترونيكس& محدودة المسؤولية
تلهم شركة &سامسونج إلكترونيكس& العالم وترسم شكل المستقبل عبر أفكار وتكنولوجيات ابتكارية. وتعمل الشركة على إعادة تحديد مفهوم عالم التلفزيونات، والهواتف الذكية، والأجهزة المتصلة، واللوائح الإلكترونية، والأدوات الرقمية، ونظم الشبكات، كما وحلول الذاكرة، وأنظمة LSI، وحلول السبك، والشاشات الضوئية (LED). لآخر الأخبار، تفضّلوا بزيارة غرفة أخبار &سامسونج& على الرابط http://news.samsung.com
